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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSC100N10NSF G 

产品描述

MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

内部编号

173-BSC100N10NSF-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

 数量:4058
1+¥13.9489
10+¥11.2138
100+¥8.9574
500+¥7.8634
1000+¥6.53
2500+¥6.065
5000+¥5.8394
10000+¥5.3949
最小起订量:1
美国加州
当天发货，1-3个工作日送达.
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#2

 数量:10000
最小起订金额:￥￦600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式

BSC100N10NSF G产品详细规格

规格书 BSC100N10NSF G datasheet 规格书
BSC100N10NSF G
BSC100N10NSF G datasheet 规格书
BSC100N10NSF G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 5,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 100V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 90A
Rds（最大）@ ID，VGS 10 mOhm @ 25A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 4V @ 110µA
栅极电荷（Qg）@ VGS 44nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 2900pF @ 50V
功率 - 最大 156W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-PowerTDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8 (5.15x6.15)
包装材料 Tape & Reel (TR)

BSC100N10NSF G系列产品

型号厂家产品描述
BSC100N10NSFG infineon technologies Trans MOSFET N-CH 100V 11.4A 8-Pin TDSON EP
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 100V 11.4A 8-Pin TDSON EP
BSC100N03LS G Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES
BSC100N03LSGATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP
BSC100N03MS G Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES
BSC100N03MSG infineon technologies Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON
BSC100N03MSG rochester electronics
BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP
BSC100N03MSGXT infineon technologies Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP
BSC100N06LS3 G Infineon Technologies MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH
BSC100N06LS3G infineon technologies Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON
BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP

BSC100N10NSF G也可以通过以下分类找到

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